集成电路氧化膜的厚度计量中光学维氏硬度计的应用使用不同的测试方法。集成电路具有很多的测试端点及测试项目,而且要高精度地测试,故需使用集成电路自动测试仪。在制造厂商方面,采用了按测试项目的顺序编制程序和程序容量大的高速自动测试仪。通过以上各种测试过程,可以评价所研究的集成电路的优缺点、设计和制造工艺的优劣、电路结构的合理性和适应性等等。 首先,应检查所研究的集成电路的外观(照片)以及外壳尺寸,然后揭开外壳的盖子,以各种倍率拍摄集成电路芯片表面的照片,描绘蒸发互连线以及各元件的图形。此时,还要区分n型部分和p型部分,然后观察引线与压焊点的连接方法以及引线的材料与直径。 其次,要加热以便从支架上取下芯片,测定此时的加热温度,以判断支架与芯片之间的粘结材料的性质。对于外壳和引线等,使用光谱分析法和化学分析法来推断所采用的是何种物质。为了去掉芯片上蒸发的铝互连线,要用NaOH加以溶解,以显示出器件图形,再根据表面干涉条纹推断氧化膜的厚度。接着,用金属膜覆盖在芯片表面,用干涉维氏硬度计求出表面起伏的分布,然后去掉金属膜,再用HF去掉Si02膜,使Si表面露出,再用干涉法测量它的起伏状态,据此确定氧化膜厚度的分布。在这一阶段推断扩散工艺的顺序等。 然而,在测得构成集成电路的元件的电学特性后,必须去掉铝蒸发膜互连线。 随后再观察构成集成电路的电阻、电容、二极管、晶体管等元器件的形状、尺寸和断面结构,并画出其图形。
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