测量外延层厚度-使用标有刻度的维氏硬度计目镜测量外延淀积层的测定 厚度与厚度梯度 目前常用的测定法有两种,现介绍如下:磨角染色法 外延层和衬底导电类型相反时使用这种方法。 1.从待测的每片硅片上划下一小块。这样做是为了识别基座上每片硅片的位置和定位。 2.淀积后,紧接着从前至后将每片硅片掰成两半,并将其中半片装在磨角器上。大得足以固定半片硅片的磨角器将会给测定带来很大的方便。 3.将硅片样品磨出角度并用象氢氟酸加上三滴硝酸等那样的PN结染色液进行染色。 4.用标有刻度的维氏硬度计目镜测量染色部分,或用单色光源的干涉仪对条纹计数。测量外延层厚度的普通方法是红外干涉法。此方法是根据轻、重掺杂硅之间在折射指数方面存在微小的差异。外延层与衬底的折射指数方面的这种差异将会产生反射,在一定条件下在红外光照射下能观察到由这种反射形成的干涉条纹。硅相当硬又很脆,其表面能抛光得光亮如镜。从性质上来说,硅在很多方面表现为金属,但在有些方面则介于金属(导体)与非金属(绝缘体)之间。一块0.02英寸厚的单晶硅片若变形得厉害就要象玻璃一样破裂,但与玻璃不同之处在于,硅单晶容易沿某些固定的平面破裂,而玻璃则无这种情况。
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