集成电路制作互连、装配与封装加工检测维氏硬度计互连、装配与封装 集成电路制作的终步骤为: 1。在掺杂区域之间沉积金属触点。 2.将晶片切割成单独的“方块”(集成电路块)。 3.将方块组装到封装外壳上。 4.从封装外壳导头引线连接到方块元件的金属触点。 5.密封封装外壳。 6.固定封装体,得到电子系统中的集成电路芯片(IC)。 金属的互连为硅晶片的电气隔离的活动区之间提供了连接的通路。这些通路是由氧化物的选择去除与随后的金属覆盖物(经常是铝)的沉积而造成的。该金属可以通过从热源的溅射直接沉积而获得。 在完成了几个周期的氧化、模板屏蔽、浸蚀、掺杂、扩散以及金属互连的形成等工艺之后,单独的器件,或“方块”(小集成电路块)被分割开,并组装于合适的封装外壳上。由于装配工作难以实现完全的自动化,所以它在终设备的成本中占据有重要的部分。 沿着特定的晶体学方向所划的线将晶片断开,使小集成电路块相互分开。在下一步被称为芯片焊接的工艺中,使用与银混合的近共晶成份焊料或聚合物(典型的为环氧树脂或聚酰亚胺)将芯片连接到封装外壳上,混入银是为为了增大导电性。而一般而言,共晶的焊料用于陶瓷的封装外壳,而环氧树脂则用于塑料的封装外壳。陶瓷的封装外壳(典型的为氧化铝、或有时是碳化硅与氮化铝)可靠性更高,因此也更适用于高性能的器件。当成本为主要因素时,可考虑使用塑料封装外壳,它们可以用本章前面部分所描述过的注射成形的方法廉价地得到。封装外壳必须满足的功能有:抵抗机械与环境损伤、提供与外通的电连接、散热、适合于检查与修复。
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