三相单层铝电极结构制造工艺样品检测全自动精密数显洛氏硬度计 CCD的电极转移结构 ***早的CCD转移电极是用金属铝制成的,随着CCD技术迅速发展,到目前为止,常见的CCD转移结构已不下20种,但它们都必须满足使电荷定向转移和相邻势阱耦合的基本要求。 三相CCD 若采用简单的对称电极,为了限定电荷转移的方向,至少需要三相。对于某一确定时刻存有电荷的一个势阱来说,它的两个相邻势阱中只有一个处于高电压,而另一个保持在低电压,以保证电荷转移的方向是单一的。若有特殊需要,也可以添加几相,不过,一般来讲,时钟脉冲相数目都保持在***小。三相CCD一般有以下几种: 三相单层铝电极结构:它是在轻掺杂的硅衬底上先生成一层0.1微米厚的氧化层,而后在氧化层上蒸发一层铝,采用光刻或阴影腐蚀技术形成宽为2~3微米的空隙。这种结构虽然制造工艺简单,但有一个明显的缺点,即电极间隙处氧化物直接裸露在周围环境中,使得表面势不稳定,影响转移效率.因此这种结构很少在实用器件中被采用。 三相电阻海结构:为了封闭电极结构,克服周围环境的影响,采取的方法之一是引用硅栅结构。在氧化层上淀积一层连续的高阻多晶硅,然后对电极区域进行选择掺杂,形成高阻与低阻相问的三相电极图案。电极问互连和焊接区采用蒸发铝来实现。这种结构成品率高,性能稳定,不易受到环境温度的影响,它的缺点是尺寸较大,仅用于小型阵列器件。 三相交叠硅栅结构:三相交叠硅栅结构是常用的三相交叠电极结构形式。它既可使得电极间隙极窄,又能得到封闭的电极结构j三相交叠电极可以是多晶硅,也可以用金属铝,或者二种混用。先在硅表面生成一层高质量的氧化物,然后沉淀二氧化硅和一层多晶硅,在多晶硅上刻出***/组电极;再进行热氧化,形成一层氧化物,而后沉淀多晶硅掺杂,并刻出第二组电极,以此类推,做出三相电极。这是一种被广泛采用的结构,主要问题是制造工序较多,而且必须防止层问短路。
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